Beheerde etsing van die SiC-laag in TRISO-bedekte partikels in ’n nie-termiese CF4 plasma

Controlled etching of the SiC layer in TRISO coated particles using CF4 in a non-thermal plasma

Abstract

Die fluoorradikale wat in ’n nie-termiese CF₄-radiofrekwensieplasma (glimont ladingsplasma) opgewek word, reageer geredelik met silikoonkarbied (SiC) met die vorming van vlugtige SiF₄ en CF₄. In ’n spuitbedopstelling wat hier gebruik word, bewerkstellig dit binne 14 tot 15 h die volledige verwydering van die SiC-deklaag vanaf TRISO- partikels, met uitstekende beheer oor die proses vir analitiese en kwaliteitsbeheerdoeleindes. Die proseskinetika word deur massa-oordrag beheer.