Beheerde etsing van die SiC-laag in TRISO-bedekte partikels in ’n nie-termiese CF4 plasma

  • Renier Koen Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)
  • Izak J Van der Walt Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)
  • Arnold A Jansen Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)
  • Philippus L Crouse Universiteit van Pretoria
Keywords: Beheerde etsing, SiC-laag, TRISO-bedekte partikels, nie-termiese CF4 plasma

Abstract

Die fluoorradikale wat in ’n nie-termiese CF4-radiofrekwensieplasma (glimontladingsplasma) opgewek word, reageer geredelik met silikoonkarbied (SiC) met die vorming van vlugtige SiF4 en CF4. In ’n spuitbedopstelling wat hier gebruik word, bewerkstellig dit binne 14 tot 15 h die volledige verwydering van die SiC-deklaag vanaf TRISO-partikels, met uitstekende beheer oor die proses vir analitiese en kwaliteitsbeheerdoeleindes. Die proseskinetika word deur massa-oordrag beheer.

Author Biographies

Renier Koen, Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)

Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa), Suid-Afrika

Izak J Van der Walt, Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)

Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa), Suid-Afrika

Arnold A Jansen, Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)

Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa) en Departement Chemiese Ingenieurswese, Universiteit
van Pretoria, Suid-Afrika

Philippus L Crouse, Universiteit van Pretoria

Departement Chemiese Ingenieurswese, Universiteit van Pretoria, Suid-Afrika

Published
2020-04-03
Section
Articles